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元件参数资料
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参数目录33716
> BCR 153T E6327 TRANSISTOR PNP DGTL AF SC-75
型号:
BCR 153T E6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
TRANSISTOR PNP DGTL AF SC-75
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
BCR 153T E6327 PDF
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
2.2k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
20 @ 20mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 1mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
频率 - 转换
200MHz
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-75,SOT-416
供应商设备封装
PG-SC-75
包装
带卷 (TR)
其它名称
BCR153TE6327XT
SP000014764
查看BCR 153T E6327代理商
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